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Fragmente (Plagiat, gesichtet)

Kein Fragment



Fragmente (Plagiat, ungesichtet)

1 Fragment

[1.] Analyse:Jf/Fragment 010 02 - Diskussion
Bearbeitet: 13. August 2017, 20:38 Hindemith
Erstellt: 13. August 2017, 20:30 (Hindemith)
Fragment, Jf, SMWFragment, Satschko 2004, Schutzlevel, Verschleierung, ZuSichten

Typus
Verschleierung
Bearbeiter
Hindemith
Gesichtet
No
Untersuchte Arbeit:
Seite: 10, Zeilen: 2-31
Quelle: Satschko 2004
Seite(n): 8, 12, Zeilen: 8: 4ff; 12: 2ff
Bei Abscheidungen nach dem PVD-Verfahren wird das abzuscheidende Material über einen physikalischen Prozess in die Gasphase überführt. Die beiden Prozesse, die hier in Frage kommen, sind das Aufdampfen unter thermischer Energiezufuhr oder mittels Ionenstrahl, sowie das Zerstäuben über die Stoßenergie der einzelnen Teilchen[70]. Nach der Überführung des Schichtmaterials in den gasförmigen Zustand erfolgt der Transport des Dampfes durch die verdünnte Gasatmosphäre zwischen Quelle und Substrat. Um einen Transport der Teilchen von der Quelle zum Substrat zu ermöglichen, benötigen alle PVD-Verfahren einen Druck p<10-2 mbar. Diese Bedingung führt zu einem gerichteten Fluss der Teilchen (line-of-sight), in dem nur die der Quelle zugewandten Substratflächen beschichtet werden. Für eine gleichmäßige Beschichtung ist daher meist eine systematische Bewegung der Substrate notwendig. Dieser line-of-sight-Prozess ermöglicht somit eine gezielte Beschichtung einzelner Flächen[70].

3.1.2 CVD-Verfahren

Allgemeines und Prozessklassifizierung

Unter CVD-Verfahren werden alle Beschichtungsprozesse verstanden, bei denen aus der Gasphase durch chemische Reaktionen eine feste Schicht auf der Substratoberfläche abgeschieden wird[71]. Im Gegensatz zu PVD-Verfahren, bei denen festes Material durch Verdampfen oder Zerstäuben in die Gasphase überführt wird, werden bei den CVD-Verfahren leicht flüchtige Edukte benötigt, die sowohl fest, als auch flüssig oder idealerweise schon gasförmig vorliegen können und durch Zuführung von Energie in einem Reaktor zur Reaktion gebracht werden. Unterschieden werden die CVD-Verfahren nach der Art der Aktivierung. Die Zuführung der Energie kann entweder thermisch oder mittels eines Plasmas erfolgen, genauso ist eine Aktivierung durch Photonenbeschuss möglich. Die thermischen CVD-Verfahren lassen sich durch den verwendeten Arbeitsdruck, die Reaktionstemperatur und die eingesetzten Edukte wie folgt untergliedern.

• Arbeitsdruck

• Normaldruck (Atmospheric Pressure CVD: APCVD)

• Niederdruck (Low Pressure CVD: LPCVD)


[70] Mertz,K.W. & Jehn,H.A. (2001) Praxishandbuch moderne Beschichtungen. Advanced Surface Coatings. Carl Hanser Verlag München Wien.

[71] Pritzlaff,D. & Lautner,V. (1997) CVD-Beschichtungstechnik. Eugen G. Lenze Verlag.

Bei allen PVD-Verfahren wird das abzuscheidende Material über einen physikalischen Prozess in die Gasphase überführt. Die beiden Prozesse, die hier in Frage kommen sind das Aufdampfen unter thermischer Energiezufuhr oder mittels Ionenstrahl sowie das Zerstäuben über die Stoßenergie der einzelnen Teilchen [12]. Nach der Überführung des Schichtmaterials in den dampfförmigen Zustand erfolgt der Transport des Dampfes durch die verdünnte Gasatmosphäre zwischen Quelle und Substrat. Um einen Transport der Teilchen von der Quelle zum Substrat zu ermöglichen benötigen alle PVD-Verfahren ein Vakuum kleiner 10-2mbar. Diese Bedingung führt zu einem gerichteten Fluss der Teilchen (line-of-sight), in dem nur die der Quelle zugewandten Substratflächen beschichtet werden.

Für eine gleichmäßige Beschichtung ist daher meist eine systematische Bewegung der Substrate notwendig. Dieser line-of-sight Prozess ermöglicht somit eine gezielte Beschichtung einzelner Flächen, wodurch sich die PVD-Verfahren grundlegend von den CVD-Verfahren unterscheiden [12].


[Seite 12]

2.3.1. Allgemeines und Prozessklassifizierung

Unter CVD-Verfahren versteht man alle Beschichtungsprozesse bei denen aus der Gasphase durch chemische Reaktionen eine feste Schicht auf der Substratoberfläche abgeschieden wird [10].

Im Gegensatz zu PVD-Verfahren, bei denen festes Material durch Verdampfen oder Zerstäuben in die Gasphase überführt wird, benötigt man bei den CVD-Verfahren leicht flüchtige Edukte, die sowohl fest wie auch flüssig oder idealer weise schon gasförmig vorliegen können und durch Zuführung von Energie in einem Reaktor zur Reaktion gebracht werden.

Unterscheiden kann man die CVD-Verfahren nach der Art der Aktivierung. Die Zuführung der Energie kann entweder thermisch oder mittels eines Plasmas erfolgen. Eine Aktivierung durch Photonenbeschuss ist ebenfalls möglich.

Die thermischen CVD-Verfahren lassen sich durch den verwendeten Arbeitsdruck, die Reaktionstemperatur und die eingesetzten Edukte wie folgt untergliedern:

• Arbeitsdruck

o Normaldruck (Atmospheric Pressure CVD: APCVD)

o Niederdruck (Low Pressure CVD: LPCVD)


[10] Pritzlaff D., Lautner V. CVD-Beschichtungstechnik. Eugen G. Leuze Verlag, 1997.

[12] Jehn H. A., Kappl H. PVD-Verfahren. In Mertz K. W., Jehn H. A. (Hrsg.), Praxishandbuch moderne Beschichtungen. Advanced Surface Coatings, Carl Hanser Verlag München Wien, 2001, S. 153 - 165.

Anmerkungen

Die Quelle ist auf der vorherigen Seite genannt, ohne dass erkennbar wäre, dass auch auf den Folegeseiten aus ihr übernommen wird.

Sichter
(Hindemith)


Fragmente (Verdächtig / Keine Wertung)

Kein Fragment



Fragmente (Kein Plagiat)

Kein Fragment



Fragmente (Verwaist)

Kein Fragment



Quellen

Quelle Autor Titel Verlag Jahr Lit.-V. FN
Jf/Satschko 2004 Michael Satschko Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von keramischen Verschleißschutzschichten auf Basis von Chromcarbid und Titancarbid 2004 ja ja


Übersicht

Typus Gesichtet ZuSichten Unfertig Σ
KP0000
VS0101
ÜP0000
BO0000
KW0000
KeinP0000
Σ0101

Sitemap

Kategorie:Jf




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